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一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计

张龙 来强涛 刘生有 郭桂良 戴宇杰

张龙, 来强涛, 刘生有, 郭桂良, 戴宇杰. 一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(2): 58-62.
引用本文: 张龙, 来强涛, 刘生有, 郭桂良, 戴宇杰. 一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计[J]. 微电子学与计算机, 2017, 34(2): 58-62.
ZHANG Long, LAI Qiang-tao, LIU Sheng-you, GUO Gui-liang, DAI Yu-jie. Design of a Full Load Stability High-PSRR Low Dropout Regulator[J]. Microelectronics & Computer, 2017, 34(2): 58-62.
Citation: ZHANG Long, LAI Qiang-tao, LIU Sheng-you, GUO Gui-liang, DAI Yu-jie. Design of a Full Load Stability High-PSRR Low Dropout Regulator[J]. Microelectronics & Computer, 2017, 34(2): 58-62.

一种全负载稳定的高PSRR LDO的设计

详细信息
    作者简介:

    张龙,男,(1989-),硕士研究生.研究方向模拟集成电路设计.E-mail:zhanglong1127@163.com.

    来强涛,男,(1981-),助理研究员.研究方向为模拟/射频集成电路设计.

    刘生有,男,(1984-),助理研究员.研究方向为模拟/射频集成电路.

    郭桂良,男,(1981-),副研究员.研究方向为模拟/射频集成电路设计.

    戴宇杰,男,(1961-),研究员,博士生导师.研究方向为纳米级CMOS工艺SOC设计技术、数模混合集成电路、模拟集成电路.

  • 中图分类号: TN432

Design of a Full Load Stability High-PSRR Low Dropout Regulator

  • 摘要: 提出了一种高电源纹波抑制比的低压差线性稳压器.该低压差线性稳压器通过提高带隙基准的电源抑制比以达到提高LDO(低压差线性稳压器)低频电源纹波抑制的能力.在TSMC 0.18μm CMOS工艺下进行了仿真验证,仿真结果表明,该LDO最大负载电流可以达到80 mA,当负载电流在0~80 mA范围内变化时,开环相位裕度均大于64°,证明了低压差线性稳压器的高稳定性.当负载电流从0 mA跳变到80 mA时,系统的输出电压过冲仅为15 mV,环路响应时间仅为0.5 μs.当负载电流为80 mA,测得10 kHz时的电源纹波抑制比为-60.82 dB,100 kHz时LDO的电源纹波抑制比为-57.66 dB.
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-05-09
  • 修回日期:  2016-06-16

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